半導體清洗材料清潔技術趨勢！鯤鵬精密給大家一起來講講吧！

　　在半導體工廠中，蝕刻部分通常采用濕法蝕刻，擴散部分采用濕法清洗。硅片似乎被放置在一種化學溶液中。為什么爭論？濕法清洗主要是用化學溶液（如ＳＣ１、ＳＣ２）清洗晶圓，去除顆粒或金屬雜質。之所以歸入擴散部是因為擴散部主要從事高溫爐管過程中氧化物的生長或驅動進入。基本上是需要清洗雜質，除去顆粒，防止這些雜質在高溫過程中造成問題，所以分為擴散部分。

　　濕法蝕刻的主要目的是去除一些不需要的薄膜或蝕刻一定的結構，通常用光塊覆蓋一部分以吃掉另一部分，這就是實際的蝕刻，所以分為蝕刻部分。

　　由于半導體需要超潔凈的表面，清洗過程不僅是半導體器件制造的核心過程，而且占半導體器件制造過程的２０％左右。另外，半導體行業(yè)也要求改善環(huán)境污染，因此，大部分排放酸、ＤＩＷ等液體廢物的清潔項目都應該升級為清潔技術。基本清洗過程的目標是不損壞硅基板的表面，也不對表面造成嚴重的變化。即去除表面的污染物，如細小顆粒或化學雜質。如果按其形態(tài)特征對芯片污染物進行劃分，根據去除方法大致可分為自然氧化火、懸浮顆粒和金屬，如表５所示。這些污染物是由粒子的靜電荷產生的力，由電層形成的力，毛細管作用的力，以及粒子和表面之間的化學鍵，這些被認為是附著在微氣泡的表面。

　　從晶圓表面去除污染物的方法大致可分為物理方法和化學方法。物理方法是通過動量傳遞將表面污染物從表面去除。化學方法是用來打破分子間的鍵或產生揮發(fā)性物質，這些物質通過表面反應從表面去除。傳統(tǒng)的清洗工藝（液體清洗）：傳統(tǒng)的濕法清洗是將晶圓片在清洗試劑溶液中浸泡一段時間，用去離子水（ＤＩＷ）沖洗晶圓片，然后用一系列的方法將晶圓片表面殘留的水層烘干。常見的清洗方法是ＲＣＡ清洗，至今仍是主流。ＲＣＡ清洗通常需要三個清洗階段。ＳＣＩＣｌｅａｒＧ專為去除有機物、金屬污染和顆粒物而設計。ＨＦＤｅａｒＧ用于去除金屬污染和天然氧化膜，而ＳＣ２清洗在去除金屬污染的同時可以再生天然氧化膜，使硅表面親水且對顆粒穩(wěn)定。在以ＲＣＡＤｅａｎｉｇ為代表的液相清洗中，如表６所示，清洗液被反復清洗，ＤＩＷ被沖洗，導致大量的液相浪費。

　　液體清洗的優(yōu)點是能夠在同一設備中使用多用途清洗液進行目的清洗，如表６所示。然而，這種方法雖然清洗效率高，但由于多使用強酸和ＤＩＷ，從改善環(huán)境的角度來看并不理想。為改進液體清洗工藝，提出了超聲波清洗、旋轉清洗和噴淋清洗。超聲洗脫與傳統(tǒng)的浴液和洗脫液相同，但在溶液中引入超聲振動，配合物理清洗，是提高清洗效率的一種解決方案。

　　因此，可以提高清洗效率，減少溶液用量。但是，在復雜的結構中，很難完全去除使用過的溶液，工藝集成困難，還可能存在重新污染等問題。旋轉清洗是將少量溶液注入芯片中心，然后快速旋轉，起到變焦作用，利用離心力去除溶解在溶液中的污染物的一種方法。因此，可大大減少溶液用量，縮短清洗時間。然而，還有清洗效率和可靠性的問題。噴涂清洗是通過噴涂強力溶液來完成的，因此可以預期它比溶液組方法更有效，但存在表面損傷和殘留清洗液等缺點。