IGBT電源模塊清洗液：IGBT工作原理！下面鯤鵬精密智能給大家來(lái)介紹一下，趕緊一起來(lái)看下面的文章吧！

　　ＩＧＢＴ（絕緣柵雙極晶體管）是由ＢＪＴ（雙極三極管）和ＭＯＳ（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）復(fù)合電壓驅(qū)動(dòng)的功率半導(dǎo)體器件，兼具ＭＯＳＦＥＴ高輸入阻抗和ＧＴＲ低壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

　　ＧＴＲ飽和電壓降低，載流密度較大，但驅(qū)動(dòng)電流較大。ＭＯＳＦＥＴ驅(qū)動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)壓降大，電流密度小。ＩＧＢＴ結(jié)合了上述兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了低驅(qū)動(dòng)功率和低飽和電壓。非常適用于直流電壓為６００Ｖ及以上的變頻系統(tǒng)，如交流電機(jī)、逆變器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

　　ＩＧＢＴ硅片結(jié)構(gòu)與功率ＭＯＳＦＥＴ結(jié)構(gòu)非常相似，主要區(qū)別是ＩＧＢＴ增加了Ｐ＋襯底和Ｎ＋緩沖層（ｎｐｔ－非直通ＩＧＢＴ技術(shù)沒(méi)有增加這部分）。一個(gè)ＭＯＳＦＥＴ驅(qū)動(dòng)兩個(gè)雙極器件。基板的應(yīng)用在管體的Ｐ＋和Ｎ＋區(qū)域之間創(chuàng)建了Ｊ１結(jié)。

　　當(dāng)正柵極偏置導(dǎo)致柵極下方的ｐ基區(qū)反轉(zhuǎn)時(shí)，ｎ溝道形成并產(chǎn)生電子流，產(chǎn)生的電流恰好與功率ＭＯＳＦＥＴ的方式相同。結(jié)果是，兩種不同的電流拓?fù)鋾簳r(shí)出現(xiàn)在半導(dǎo)體層次：電子流（ＭＯＳＦＥＴ電流）；空穴電流（雙極）。

　　適用于中、高容量電源應(yīng)用，如開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制和感應(yīng)烤箱。

　　電動(dòng)汽車(chē)、變頻空調(diào)、變頻冰箱的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，甚至大功率輸出音頻放大器的聲源驅(qū)動(dòng)器。

　　ＩＧＢＴ具有在大功率環(huán)境下快速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)，因此它通常與脈寬調(diào)制（ＰＷＭ）和低通濾波器一起使用。

　　由于半導(dǎo)體元器件技術(shù)的進(jìn)步和半導(dǎo)體原材料質(zhì)量的提高，ＩＧＢＴ的單價(jià)越來(lái)越便宜。它的應(yīng)用范圍更接近家用產(chǎn)品的范圍，不再僅僅是大功率電力系統(tǒng)的應(yīng)用范圍。

　　例如，電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)的電機(jī)駕駛員使用ＩＧＢＴ組件。豐田第二代混合動(dòng)力汽車(chē)普銳斯ＩＩ采用５０ｋＷＩＧＢＴ模塊轉(zhuǎn)換器控制兩組交流電機(jī)／發(fā)電機(jī)，通過(guò)直流電池組進(jìn)行電能轉(zhuǎn)換。