IGBT電源模塊清洗液：IGBT？它的作用是什么？

　　ＩＧＢＴ是一種絕緣柵雙極晶體管。ＩＧＢＴ是一種絕緣柵雙極晶體管。

　　從功能上看，ＩＧＢＴ是一種電路開關(guān)，優(yōu)點(diǎn)是采用電壓控制，飽和壓降，耐高壓。電壓是幾十到幾百伏特電流是幾十到幾百安培。ＩＧＢＴ是由計(jì)算機(jī)而不是機(jī)械按鈕控制的。

　　因此，有了ＩＧＢＴ開關(guān)，就可以設(shè)計(jì)一種電路，由計(jì)算機(jī)控制，將電源側(cè)的交流電在給定電壓下轉(zhuǎn)換成直流電，或?qū)⒏鞣N電流在所需頻率下轉(zhuǎn)換成交流電供負(fù)載使用。這樣的電路叫做轉(zhuǎn)換器。

　　ＩＧＢＴ模塊具有節(jié)能、安裝維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前市場銷售的此類模塊化產(chǎn)品，也稱ＩＧＢＴ模塊；隨著節(jié)能環(huán)保的推廣，這樣的產(chǎn)品將會越來越多地出現(xiàn)在市場上；

　　ＩＧＢＴ是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子器件的“ＣＰＵ”。ＩＧＢＴ作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車、新能源裝備等領(lǐng)域。

　　方法

　　ＩＧＢＴ是垂直功率ｍｏｓｆｅｔ大電流、高電壓應(yīng)用和快速終端器件的自然進(jìn)化。由于ＢＶＤＳＳ需要源漏通道來實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓，并且該通道具有非常高的電阻率，導(dǎo)致功率ｍｏｓｆｅｔ具有高ＲＤＳ（ＯＮ）值特性，ＩＧＢＴ消 除了現(xiàn)有功率ｍｏｓｆｅｔ的這些主要缺點(diǎn)。

　　盡管新一代功率ＭＯＳＦＥＴ極大地改善了ＲＤＳ（ＯＮ）特性，但在高電流條件下，其功率導(dǎo)通損耗仍遠(yuǎn)高于ＩＧＢＴ技術(shù)。較低的電壓降，轉(zhuǎn)換為較低的ＶＣＥ（ＳＡＴ）的能力，和ＩＧＢＴ結(jié)構(gòu)允許更高的電流密度相比標(biāo)準(zhǔn)雙極器件，并簡化了ＩＧＢＴ驅(qū)動原理圖。

　　傳導(dǎo)

　　ＩＧＢＴ硅片結(jié)構(gòu)與功率ＭＯＳＦＥＴ結(jié)構(gòu)非常相似，主要區(qū)別是ＩＧＢＴ增加了Ｐ＋襯底和Ｎ＋緩沖層（ＮＰＴ－非直接ＩＧＢＴ技術(shù)沒有增加這部分）。一個(gè)ＭＯＳＦＥＴ驅(qū)動兩個(gè)雙極器件。基板應(yīng)用程序在管體的Ｐ＋和Ｎ＋區(qū)域之間創(chuàng)建Ｊ１連接。

　　當(dāng)正柵偏置導(dǎo)致柵極下方的ｐ基區(qū)反轉(zhuǎn)時(shí)，ｎ溝道形成并產(chǎn)生電子流，其方式與功率ＭＯＳＦＥＴ完全相同。如果這個(gè)電子流是由一個(gè)０．７Ｖ的電壓范圍內(nèi)，那么ｊ－１將在正向偏壓，有些孔注入Ｎ－ｒｅｇｉｏｎ和陽極和陰極之間的電阻率調(diào)整的方式減少全損的力量傳導(dǎo)和第二電荷流的開始。結(jié)果是兩種不同的電流拓?fù)鋾簳r(shí)出現(xiàn)在半導(dǎo)體水平：電子流（ＭＯＳＦＥＴ電流）；空穴電流（雙相）。

　　關(guān)閉

　　當(dāng)負(fù)偏置電壓施加到柵極或柵極低于閾值時(shí)，通道被禁用，沒有孔注入到ｎ區(qū)。在任何情況下，如果ＭＯＳＦＥＴ電流在開關(guān)階段迅速下降，集電極電流逐漸下降，因?yàn)樵趽Q向開始后，在ｎ層仍然有一些載波（小載波）。

　　剩余電流（尾跡）的減少完全取決于截止點(diǎn)的電荷密度，而截止點(diǎn)的電荷密度又取決于摻雜材料的數(shù)量和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、層厚和溫度等因素。由于電子衰減，集電極電流具有典型的尾跡波形。集電極電流造成以下問題：功耗增加；交叉?zhèn)鲗?dǎo)的問題，特別是在使用連續(xù)電流二極管的器件中，更加明顯。

　　由于尾跡與少量粒子的復(fù)合有關(guān)，尾跡的電流值應(yīng)與芯片溫度、ＩＣ和ＶＣＥ空穴遷移率密切相關(guān)。因此，根據(jù)所達(dá)到的溫度，降低該電流對終端設(shè)備設(shè)計(jì)的不利影響是可行的。