半導體行業(yè)所需材料：芯片制造過程關(guān)鍵作用，讓鯤鵬精密智能科技來給大家說說看吧！

　　1.作為半導體產(chǎn)業(yè)鏈的重要上游環(huán)節(jié)，半導體材料在芯片制造過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。半導體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基材主要用于制造硅片或化合物半導體；制造材料主要為將硅片或化合物半導體加工成芯片所需的各種材料；包裝材料是包裝和切割芯片時使用的材料。

　　根據(jù)芯片材料的不同，襯底材料主要分為硅片和化合物半導體。其中，硅片是集成電路制造過程中應用非常廣泛、非常重要的原材料。

　　2. 化合物半導體

　　主要指砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）二、三代半導體。砷化鎵（GaAs）具有功率密度高、能耗低、耐高溫、發(fā)光效率高、耐輻射、擊穿電壓高等特點。廣泛應用于射頻、功率器件、微電子、光電子及國防軍工等行業(yè)。氮化鎵（GaN），可以承載更高的能量密度和更高的可靠性。廣泛應用于手機、衛(wèi)星、航空航天、光電、微電子、高溫大功率設(shè)備、高頻微波設(shè)備等非通信領(lǐng)域；碳化硅（SiC）具有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導率等優(yōu)點。主要用作汽車和工業(yè)電力電子領(lǐng)域的大功率半導體材料，廣泛應用于大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。

　　3.制造材料

　　1、光刻膠

　　光刻膠是光刻工藝的核心材料，其溶解度的變化主要通過紫外線、準分子激光、電子束、離子束、X抗蝕材料，如光源的照射或輻射。光刻膠可分為半導體光刻膠、LCD光刻膠和PCB光刻膠。光刻膠的主要成分包括光刻膠樹脂、敏化劑、溶劑和添加劑。

　　在光刻工藝中，將光刻膠施加到基板上。當光或輻射通過掩模照射到基板上時，光刻膠在顯影溶液中的溶解度會發(fā)生變化。在溶液溶解可溶部分后，光刻膠層形成與掩模版完全相同的圖案，然后在基板上完成圖案轉(zhuǎn)移。根據(jù)下游應用，基板可以是印刷電路板、面板和集成電路板。光刻工藝的成本占整個芯片制程的35%左右，時間消耗占整個芯片制程的40%~60%。它是半導體制造的核心工藝。

　　2、濺射靶材

　　靶材是制備電子薄膜材料的濺射工藝中不可缺少的原材料。濺射工藝主要是利用離子源產(chǎn)生的離子在真空中加速高速離子束的聚集，轟擊固體表面，使固體表面的原子離開固體沉積在基板表面.被轟擊的固體被稱為濺射靶材。

　　3、拋光材料

　　化學機械拋光 是一種可以考慮表面整體和局部平整度的技術(shù)。其工作原理是在一定壓力和拋光液存在下，使拋光片和拋光墊相對運動，將納米磨料的機械研磨作用和各種化學試劑的化學作用有機結(jié)合，使表面拋光后的晶片達到高平整度。 低表面粗糙度和低缺陷要求。

　　拋光液為水溶性拋光劑，不含任何硫、磷、氯添加劑，主要用于拋光、潤滑和冷卻。拋光墊的主要作用是儲存和傳輸拋光液，為硅片提供一定的壓力，并對其表面進行機械摩擦，是決定表面質(zhì)量的重要輔助材料。